IXYS - IXTH1N300P3HV

KEY Part #: K6397791

IXTH1N300P3HV Preise (USD) [3801Stück Lager]

  • 1 pcs$12.53690
  • 10 pcs$11.59686
  • 100 pcs$9.90415

Artikelnummer:
IXTH1N300P3HV
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - TRIACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - spezieller Zweck ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTH1N300P3HV elektronische Komponenten. IXTH1N300P3HV kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTH1N300P3HV haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH1N300P3HV Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTH1N300P3HV
Hersteller : IXYS
Beschreibung : 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 3000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 895pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 195W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247HV
Paket / fall : TO-247-3 Variant

Sie könnten auch interessiert sein an
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.

  • TK32A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 32A TO-220.