Vishay Semiconductor Diodes Division - 8EWS08STRR

KEY Part #: K6450977

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    Artikelnummer:
    8EWS08STRR
    Hersteller:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    8EWS08STRR Produkteigenschaften

    Artikelnummer : 8EWS08STRR
    Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 8A
    Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : -
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 50µA @ 800V
    Kapazität @ Vr, F : -
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Supplier Device Package : D-PAK (TO-252AA)
    Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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