Infineon Technologies - IRLR2908TRLPBF

KEY Part #: K6417159

IRLR2908TRLPBF Preise (USD) [160171Stück Lager]

  • 1 pcs$0.23092
  • 3,000 pcs$0.19734

Artikelnummer:
IRLR2908TRLPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Dioden - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - JFETs and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRLR2908TRLPBF elektronische Komponenten. IRLR2908TRLPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRLR2908TRLPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLR2908TRLPBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRLR2908TRLPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1890pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 120W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D-Pak
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63