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- Artikelnummer:
- IRL6342PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Zener - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IRL6342PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRL6342PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.6 mOhm @ 9.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1025pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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