FDB86102LZ Preise (USD) [111339Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDB86102LZ
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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FDB86102LZ Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDB86102LZ
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.3A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1275pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.1W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263AB
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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