DMN61D9UDW-13 Preise (USD) [1084431Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN61D9UDW-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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DMN61D9UDW-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN61D9UDW-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
28.5pF @ 30V
Leistung max :
320mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package :
SOT-363
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