Nexperia USA Inc. - PMV213SN,215

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Artikelnummer:
PMV213SN,215
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMV213SN,215 Produkteigenschaften

Artikelnummer : PMV213SN,215
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23
Serie : TrenchMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 20V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 280mW (Tj)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-236AB
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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