ON Semiconductor - FDD6635

KEY Part #: K6415784

FDD6635 Preise (USD) [159309Stück Lager]

  • 1 pcs$0.23217
  • 2,500 pcs$0.22347

Artikelnummer:
FDD6635
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 35V 15A DPAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDD6635 elektronische Komponenten. FDD6635 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDD6635 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD6635 Produkteigenschaften

Artikelnummer : FDD6635
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 35V 15A DPAK
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 35V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15A (Ta), 59A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 20V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.8W (Ta), 55W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D-PAK (TO-252)
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63