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- Artikelnummer:
- TPC8035-H(TE12L,QM
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - RF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage TPC8035-H(TE12L,QM elektronische Komponenten. TPC8035-H(TE12L,QM kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TPC8035-H(TE12L,QM haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TPC8035-H(TE12L,QM Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TPC8035-H(TE12L,QM
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
Serie :
U-MOSVI-H
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.2 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
82nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7800pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SOP (5.5x6.0)
Paket / fall :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
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