APTM100UM45DAG Preise (USD) [337Stück Lager]
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- 25 pcs$154.82967
- Artikelnummer:
- APTM100UM45DAG
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1000V 215A SP6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - TRIACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Leistungstreibermodule and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
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APTM100UM45DAG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APTM100UM45DAG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
Serie :
POWER MOS 7®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
215A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
52 mOhm @ 107.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 30mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1602nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
42700pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
5000W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
SP6
Paket / fall :
SP6
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