BSZ028N04LSATMA1 Preise (USD) [178012Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSZ028N04LSATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSZ028N04LSATMA1 elektronische Komponenten. BSZ028N04LSATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSZ028N04LSATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSZ028N04LSATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSZ028N04LSATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
21A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2300pF @ 20V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.1W (Ta), 63W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TSDSON-8-FL
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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