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Microsemi Corporation - APT53F80J

KEY Part #: K6392615

APT53F80J Preise (USD) [1630Stück Lager]

  • 1 pcs$29.22496
  • 10 pcs$27.50473
Artikelnummer:
APT53F80J
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Single, Leistungstreibermodule and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT53F80J elektronische Komponenten. APT53F80J kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT53F80J haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT53F80J Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT53F80J
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227
Serie : POWER MOS 8™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 57A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 570nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 17550pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 960W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : ISOTOP®
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC

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