IPD50N08S413ATMA1 Preise (USD) [204748Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPD50N08S413ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH TO252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD50N08S413ATMA1 elektronische Komponenten. IPD50N08S413ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD50N08S413ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD50N08S413ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD50N08S413ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH TO252-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 33µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1711pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
72W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3-313
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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