Artikelnummer :
BSM300D12P2E001
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 68mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
35000pF @ 10V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
Module