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- Artikelnummer:
- ISL9R8120S3ST
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - Zener - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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ISL9R8120S3ST Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ISL9R8120S3ST
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
Serie :
Stealth™
Teilestatus :
Obsolete
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
3.3V @ 8A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
300ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
100µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F :
30pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
TO-263AB
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
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