Artikelnummer :
SISS92DN-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 250V POWERPAK 1212
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.4A (Ta), 12.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
173 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 125V
Verlustleistung (max.) :
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8S
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8S