FQB7P20TM-F085 Preise (USD) [84433Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FQB7P20TM-F085
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Zener - Arrays and Dioden - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQB7P20TM-F085 elektronische Komponenten. FQB7P20TM-F085 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQB7P20TM-F085 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FQB7P20TM-F085 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FQB7P20TM-F085
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
Serie :
Automotive, AEC-Q101, QFET®
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
690 mOhm @ 3.65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
770pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.13W (Ta), 90W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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