Artikelnummer :
TK16E60W5,S1VX
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
15.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
230 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 790µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
43nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1350pF @ 300V
Verlustleistung (max.) :
130W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220