IXYS - IXTA3N50P

KEY Part #: K6418983

IXTA3N50P Preise (USD) [85641Stück Lager]

  • 1 pcs$0.52768
  • 50 pcs$0.52505

Artikelnummer:
IXTA3N50P
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - IGBTs - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTA3N50P elektronische Komponenten. IXTA3N50P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTA3N50P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA3N50P Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTA3N50P
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK
Serie : PolarHV™
Teilestatus : Last Time Buy
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 409pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 70W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263 (IXTA)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB