IPN80R1K2P7ATMA1 Preise (USD) [183749Stück Lager]
- 1 pcs$0.20129
- Artikelnummer:
- IPN80R1K2P7ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- COOLMOS P7 800V SOT-223.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPN80R1K2P7ATMA1 elektronische Komponenten. IPN80R1K2P7ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPN80R1K2P7ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPN80R1K2P7ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPN80R1K2P7ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
COOLMOS P7 800V SOT-223
Serie :
CoolMOS™ P7
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 80µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
300pF @ 500V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
6.8W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-SOT223
Paket / fall :
TO-261-3
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