FDD8880 Preise (USD) [386259Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDD8880
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 58A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDD8880 elektronische Komponenten. FDD8880 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDD8880 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDD8880 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDD8880
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
13A (Ta), 58A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1260pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
55W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252AA
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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