IXFV20N80P Preise (USD) [15006Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFV20N80P
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Single and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFV20N80P elektronische Komponenten. IXFV20N80P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFV20N80P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFV20N80P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFV20N80P
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220
Serie :
HiPerFET™, PolarHT™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
520 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
86nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4685pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
500W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PLUS220
Paket / fall :
TO-220-3, Short Tab
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