FDS6898AZ-F085 Preise (USD) [91469Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDS6898AZ-F085
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDS6898AZ-F085 elektronische Komponenten. FDS6898AZ-F085 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDS6898AZ-F085 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDS6898AZ-F085 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDS6898AZ-F085
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Serie :
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1821pF @ 10V
Leistung max :
900mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOIC
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