ON Semiconductor - FDS8958B_G

KEY Part #: K6523526

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    Artikelnummer:
    FDS8958B_G
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDS8958B_G elektronische Komponenten. FDS8958B_G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDS8958B_G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDS8958B_G Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FDS8958B_G
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
    Serie : PowerTrench®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N and P-Channel
    FET-Funktion : Standard
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.4A, 4.5A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 6.4A, 10V, 51 mOhm @ 4.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 15V, 760pF @ 15V
    Leistung max : 900mW
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Supplier Device Package : 8-SO