FDFMA2P029Z-F106 Preise (USD) [240031Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDFMA2P029Z-F106
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- -20V -3.1A 95 O PCH ER T.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDFMA2P029Z-F106 elektronische Komponenten. FDFMA2P029Z-F106 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDFMA2P029Z-F106 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDFMA2P029Z-F106 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDFMA2P029Z-F106
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
-20V -3.1A 95 O PCH ER T
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
720pF @ 10V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
1.4W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-MicroFET (2x2)
Paket / fall :
6-VDFN Exposed Pad
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