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- Artikelnummer:
- IRFH8337TR2PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IRFH8337TR2PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFH8337TR2PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.8 mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
790pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.2W (Ta), 27W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PQFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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