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- Artikelnummer:
- HAT2131R-EL-E
- Hersteller:
- Renesas Electronics America
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 8SO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - JFETs, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
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HAT2131R-EL-E Produkteigenschaften
Artikelnummer :
HAT2131R-EL-E
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N-CH 8SO
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
350V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
900mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 450mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
460pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SOP
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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