PSMNR70-30YLHX Preise (USD) [101092Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- PSMNR70-30YLHX
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- PSMNR70-30YLH/SOT669/LFPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. PSMNR70-30YLHX elektronische Komponenten. PSMNR70-30YLHX kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu PSMNR70-30YLHX haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
PSMNR70-30YLHX Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PSMNR70-30YLHX
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
PSMNR70-30YLH/SOT669/LFPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
300A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
80nC @ 10V
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4.852nF @ 10V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall :
SC-100, SOT-669
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