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- Artikelnummer:
- STL11N6F7
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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STL11N6F7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STL11N6F7
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
Serie :
STripFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1035pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.9W (Ta), 48W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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