FQB34N20LTM Preise (USD) [70894Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FQB34N20LTM
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Zener - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQB34N20LTM elektronische Komponenten. FQB34N20LTM kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQB34N20LTM haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FQB34N20LTM Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FQB34N20LTM
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
31A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
72nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3900pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.13W (Ta), 180W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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