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- Artikelnummer:
- IXFM15N60
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- POWER MOSFET TO-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFM15N60 elektronische Komponenten. IXFM15N60 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFM15N60 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFM15N60 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFM15N60
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
POWER MOSFET TO-3
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Last Time Buy
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
170nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4500pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-204AE
Paket / fall :
TO-204AE
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