Vishay Siliconix - SIA437DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6420990

SIA437DJ-T1-GE3 Preise (USD) [314389Stück Lager]

  • 1 pcs$0.11765
  • 3,000 pcs$0.11071

Artikelnummer:
SIA437DJ-T1-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - JFETs, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - IGBTs - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIA437DJ-T1-GE3 elektronische Komponenten. SIA437DJ-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIA437DJ-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA437DJ-T1-GE3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SIA437DJ-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 29.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2340pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur : -50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / fall : PowerPAK® SC-70-6

Sie könnten auch interessiert sein an