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- Artikelnummer:
- IRF7832Z
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Leistungstreibermodule, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF7832Z elektronische Komponenten. IRF7832Z kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF7832Z haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRF7832Z Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF7832Z
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
21A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3860pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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