Artikelnummer :
IRLI610ATU
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1.65A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
240pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
3.1W (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I2PAK (TO-262)
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA