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- Artikelnummer:
- IRLBD59N04ETRLP
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IRLBD59N04ETRLP Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRLBD59N04ETRLP
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
59A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 5V
Vgs (Max) :
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2190pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
130W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263-5
Paket / fall :
TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
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