Renesas Electronics America - H7N1002LSTL-E

KEY Part #: K6402401

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    Artikelnummer:
    H7N1002LSTL-E
    Hersteller:
    Renesas Electronics America
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 100V LDPAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - IGBTs - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    H7N1002LSTL-E Produkteigenschaften

    Artikelnummer : H7N1002LSTL-E
    Hersteller : Renesas Electronics America
    Beschreibung : MOSFET N-CH 100V LDPAK
    Serie : -
    Teilestatus : Active
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 75A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 37.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9700pF @ 10V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 100W (Tc)
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : 4-LDPAK
    Paket / fall : SC-83

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