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- Artikelnummer:
- NDBA100N10BT4H
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 100A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - JFETs, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
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NDBA100N10BT4H Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NDBA100N10BT4H
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.9 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2950pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
110W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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