Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 7A TO-220
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
43nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1335pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
225W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220 [K]