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- Artikelnummer:
- IRF6893MTR1PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 25V 29A MX.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IRF6893MTR1PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF6893MTR1PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 25V 29A MX
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
29A (Ta), 168A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3480pF @ 13V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DIRECTFET™ MX
Paket / fall :
DirectFET™ Isometric MX
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