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ON Semiconductor - FDS5672_F095

KEY Part #: K6401140

[3153Stück Lager]

    Artikelnummer:
    FDS5672_F095
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Single, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Thyristoren - Thyristoren ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDS5672_F095 elektronische Komponenten. FDS5672_F095 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDS5672_F095 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDS5672_F095 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FDS5672_F095
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH
    Serie : PowerTrench®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 12A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : 8-SOIC
    Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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