IXTA1N80 Preise (USD) [46760Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTA1N80
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTA1N80 elektronische Komponenten. IXTA1N80 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTA1N80 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXTA1N80 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTA1N80
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
750mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
220pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
40W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263 (IXTA)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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