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- Artikelnummer:
- IRF6629TRPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF6629TRPBF elektronische Komponenten. IRF6629TRPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF6629TRPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRF6629TRPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF6629TRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
29A (Ta), 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
51nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4260pF @ 13V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.8W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DIRECTFET™ MX
Paket / fall :
DirectFET™ Isometric MX
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