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GeneSiC Semiconductor - GA50JT17-247

KEY Part #: K6412450

GA50JT17-247 Preise (USD) [13441Stück Lager]

  • 90 pcs$98.85087
Artikelnummer:
GA50JT17-247
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
TRANS SJT 1.7KV 100A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Leistungstreibermodule and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
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Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor GA50JT17-247 elektronische Komponenten. GA50JT17-247 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu GA50JT17-247 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA50JT17-247 Produkteigenschaften

Artikelnummer : GA50JT17-247
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : TRANS SJT 1.7KV 100A
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : -
Technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 50A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 583W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247
Paket / fall : TO-247-3
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