DMJ70H900HJ3 Preise (USD) [64604Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMJ70H900HJ3
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET BVDSS 651V 800V TO251.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Brückengleichrichter and Dioden - Gleichrichter - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMJ70H900HJ3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMJ70H900HJ3
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
18.4nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
603pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
68W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-251
Paket / fall :
TO-251-3, IPak, Short Leads
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