IXYS - IXTH120P065T

KEY Part #: K6394915

IXTH120P065T Preise (USD) [19066Stück Lager]

  • 1 pcs$2.49827
  • 30 pcs$2.48584

Artikelnummer:
IXTH120P065T
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 65V 120A TO-247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Thyristoren - SCRs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTH120P065T elektronische Komponenten. IXTH120P065T kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTH120P065T haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH120P065T Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTH120P065T
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET P-CH 65V 120A TO-247
Serie : TrenchP™
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 65V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 185nC @ 10V
Vgs (Max) : ±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 13200pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 298W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247 (IXTH)
Paket / fall : TO-247-3