IXTH6N90 Preise (USD) [12463Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTH6N90
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 900V 6A TO-247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTH6N90 elektronische Komponenten. IXTH6N90 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTH6N90 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXTH6N90 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTH6N90
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2600pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
180W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247 (IXTH)
Paket / fall :
TO-247-3
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