IPW60R055CFD7XKSA1 Preise (USD) [8261Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPW60R055CFD7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- HIGH POWERNEW.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IPW60R055CFD7XKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPW60R055CFD7XKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
HIGH POWERNEW
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
38A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 900µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
79nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3194pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
178W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO247-3
Paket / fall :
TO-247-3
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