Renesas Electronics America - N0412N-S19-AY

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Artikelnummer:
N0412N-S19-AY
Hersteller:
Renesas Electronics America
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

N0412N-S19-AY Produkteigenschaften

Artikelnummer : N0412N-S19-AY
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5550pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.5W (Ta), 119W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220
Paket / fall : TO-220-3

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