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- Artikelnummer:
- IRL2910L
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 55A TO-262.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRL2910L elektronische Komponenten. IRL2910L kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRL2910L haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRL2910L Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRL2910L
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 55A TO-262
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
140nC @ 5V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3700pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-262
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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