IXTP1R6N100D2 Preise (USD) [50552Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTP1R6N100D2
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IXTP1R6N100D2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTP1R6N100D2
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
645pF @ 25V
FET-Funktion :
Depletion Mode
Verlustleistung (max.) :
100W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
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